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研發(fā)投入翻倍！中微公司存儲領域刻蝕機終于頂上來了！

2025/2/27 19:35:50      挖貝網(wǎng) 周路遙

2025年2月27日，中微公司發(fā)布了2024年業(yè)績快報。在業(yè)績增長的同時，中微公司的研發(fā)投入呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，達24.52億元，同比增長約94.31%，近乎翻倍。相比之下，中微公司2024 年營業(yè)收入約 90.65 億元，同比增長44.73%；歸母凈利潤為13.88億元，同比增長16.52%。

中微公司解釋稱，研發(fā)投入如此高增長的原因是：由于市場對中微開發(fā)多種新設備的需求急劇增長，2024 年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補國產(chǎn)半導體設備短板，實現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長打好基礎。

中微公司還強調(diào)，公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快，過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設備，現(xiàn)在只需兩年或更短時間就能開發(fā)出有 競爭力的新設備，并順利進入市場。

不過，中微公司的解釋依舊沒有講清楚公司在2024年取得的具體技術(shù)進展。為此，芯辰大海查閱了中微公司2024年至2025年的主要公告，總結(jié)出中微公司的三大技術(shù)進展，具體情況如下：

在實驗室實現(xiàn)原子級操控 精度達到0.02納米

先說中微公司的刻蝕設備在實驗室能夠達到的最大操作精度。

在2024年半年度業(yè)績說明會中，中微公司董事長尹志堯表示，中微半導體已經(jīng)實現(xiàn)技術(shù)突破，氧化硅、氮化硅、多晶硅三種材料均可以實現(xiàn)0.02納米的準確度，相當于每次加工一個原子。

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當然這一技術(shù)依舊處于實驗室階段，還未量產(chǎn)。不過，目前全球刻蝕機巨頭 LAM Research、TEL 等國外刻蝕機巨頭其量產(chǎn)能力還停留在5nm、3nm階段，雖然中微半導體的0.02nm只是在實驗室取得成功，但也足見中國半導體產(chǎn)業(yè)的崛起速度。

存儲領域刻蝕機獲得重大突破  可用于128層以上堆疊

中微公司在存儲領域刻蝕機上的突破，即是技術(shù)上的，也是市場上的。

先說市場方面的突破，在2024年8月的投資者交流活動中，中微公司表示：預計2024年前三季度的累計新增訂單超過75億 元，同比增長超過50%；公司預計2024年的累計新增訂單將達到110-130 億元。

同時中微公司強調(diào)：公司2024年上半年新增訂單中，來自存儲客戶的占比較高。先進制 程（包括先進邏輯及存儲）占比超過70%。

那么，為什么中微公司新增訂單中，來自存儲客戶的占比較高呢？這是因為中微公司在存儲領域使用的刻蝕機上，取得了重大突破。

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中微公司2024年半年報顯示，公司在研項目中，排名第一的是“用于存儲器刻蝕的CCP刻蝕設備”，該項目的具體應用前景為“3D NAND，>=128層”。

中微公司介紹，該項目當前的進展是： Beta機客戶端已完成溝道刻蝕（深寬 比60:1）等4道工 藝的驗證，已展開大規(guī)模量產(chǎn)。

除了上述刻蝕技術(shù)，中微公司還積極布局超低溫刻蝕技術(shù)，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結(jié)構(gòu) （≥90:1）刻蝕的前衛(wèi)技術(shù)。多款ICP設備在先進邏輯芯片、先進DRAM和3D NAND產(chǎn)線驗證推進順利并陸續(xù)取得客戶批量訂單。

并且對于上述設備的市場前景，中微公司也是充滿信心，公司表示：存儲器件從2D至3D的轉(zhuǎn)換的過程中，需要大量采用多層材 料薄膜沉積和極高深寬比結(jié)構(gòu)的刻蝕，等離子體刻蝕和薄膜制程成為最關(guān)鍵的步驟。因此，我們相信未來這兩類設備的需求量和價值量會繼續(xù)提升。

薄膜設備：六種 LPCVD 薄膜設備已經(jīng)順利進入市場

在2024年業(yè)績快報中，中微公司表示，公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的六種 LPCVD 薄膜設備已經(jīng)順利進入市場，2024 年收到約4.76億元批量訂單，實現(xiàn)銷售收入已達到約1.56億元。

具體技術(shù)進展方面，在2024年中報中，中微公司強調(diào)，公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，并已完成多家邏輯和存儲客戶對CVD/HAR/ALD W鎢設備的驗證，取得了客戶訂單。中微公司還規(guī)劃了多款CVD和ALD設備，增加薄膜設備的覆蓋率，進一步拓展市場。