中微公司官宣!刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米 刻蝕設(shè)備全球出貨超5000臺
日前,中微公司官宣了其在市場、技術(shù)等領(lǐng)域的最新進展!
市場方面,中微公司表示,公司等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)總臺數(shù)全球累計出貨超過5000臺。這包括CCP高能等離子體刻蝕機和ICP低能等離子體刻蝕機、單反應(yīng)臺反應(yīng)器和雙反應(yīng)臺反應(yīng)器共四種構(gòu)型的設(shè)備。
技術(shù)方面,中微公司強調(diào),公司CCP和ICP的雙臺機,刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米水平,相當于頭發(fā)絲直徑約三十萬分之一。要知道,一個硅原子的半徑約為0.11納米。
以下是詳細情況:
市場占有率:累計已銷售超5400個反應(yīng)臺
據(jù)了解,刻蝕機主要有兩種,分別是CCP高能等離子體刻蝕機和ICP低能等離子體刻蝕機。目前,無論是CCP設(shè)備還是ICP設(shè)備,中微公司的市場份額都在快速增長。
中微公司表示,公司的CCP高能等離子刻蝕設(shè)備和ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備的出貨量近年來都保持高速增長。CCP設(shè)備在線累計裝機量近四年年均增長大于37%,已突破4000個反應(yīng)臺;ICP設(shè)備在線累計裝機量近四年年均增長大于100%,已突破1000個反應(yīng)臺。
截至2025年2月底,中微公司累計已有超過5400個反應(yīng)臺在國內(nèi)外130多條生產(chǎn)線,全面實現(xiàn)了量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售,贏得了眾多客戶和供應(yīng)廠商的信任和支持。
技術(shù)水平:刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米
中微公司表示,公司的刻蝕設(shè)備在過去的20年積累了大量的芯片生產(chǎn)線量產(chǎn)數(shù)據(jù)和客戶驗證數(shù)據(jù),已經(jīng)可以覆蓋絕大多數(shù)的刻蝕應(yīng)用,包括各種高端的應(yīng)用。特別是CCP和ICP的雙臺機,反復(fù)論證了雙反應(yīng)臺之間刻蝕的線寬差別,1Sigma已達到0.5納米以下,刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米水平,相當于頭發(fā)絲直徑約三十萬分之一。
中微公司還強調(diào),公司的刻蝕機已在5納米及更先進的微觀器件生產(chǎn)線上大量應(yīng)用。
資料顯示,一個硅原子的半徑約為110pm(pm,長度單位,1pm等于0.001納米),即0.11納米。以精準到0.1到0.2納米水平,意味著中微公司的設(shè)備已經(jīng)能實現(xiàn)原子級的操作。
研發(fā)速度翻倍:只需兩年或更短時間就能開發(fā)出新設(shè)備
中微公司強調(diào),公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快,過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設(shè)備,現(xiàn)在只需兩年或更短時間就能開發(fā)出有競爭力的新設(shè)備,并順利進入市場。
具體來看,近年來中微公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的六種LPCVD薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進入市場。其中,在進入市場后只一年,存儲器生產(chǎn)線所用的LPCVD設(shè)備出貨量已突破100多個反應(yīng)臺,2024年得到約4.76億元批量訂單。
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