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恒運昌科創(chuàng)板IPO:產(chǎn)品系刻蝕機、薄膜設備核心部件 成功助力晶圓廠可持續(xù)生產(chǎn)
一家為北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等國內半導體設備龍頭企業(yè)提供核心部件的企業(yè),正在向科創(chuàng)板發(fā)起沖擊。
近日,科創(chuàng)板受理了恒運昌的IPO申請。該公司主要圍繞等離子體工藝打造產(chǎn)品矩陣,自研產(chǎn)品包括等離子體射頻電源系統(tǒng)、等離子體激發(fā)裝置、等離子體直流電源等;同時還為晶圓廠提供等離子體射頻電源系統(tǒng)原位替換及維修等技術服務。
目前,恒運昌的產(chǎn)品獲得了市場的廣泛認同,客戶包括拓荊科技、中微公司、北方華創(chuàng)、微導納米、盛美上海等國內頭部半導體設備商,并已成為薄膜沉積、刻蝕環(huán)節(jié)國內頭部設備商的戰(zhàn)略級供應商。
等離子體工藝設備:構成刻蝕機、薄膜設備的核心部件
眾所周知,刻蝕機、薄膜設備是半導體制造的核心設備。但是你知道刻蝕機、薄膜設備的核心零部件有哪些么?等離子體工藝設備就是其中一種。
在介紹離子體工藝設備前,我們必須了解什么是等離子體。這是在特定條件下氣體電離而產(chǎn)生的區(qū)別于固、液和氣三態(tài)的物質第四態(tài),閃電、火焰、太陽就是等離子體。等離子體由帶電粒子、中性粒子、自由基等組成,具有獨特的光、熱、電物理特性以及高活性、高能量的特點。
其中,刻蝕主要利用等離子體中的帶電離子,在電場中加速獲得了方向性,從而實現(xiàn)更精準地方向性刻蝕,能夠在極小范圍內有選擇性地去除目標材料而不損壞其他部分;還能實現(xiàn)刻蝕的垂直形貌和高深寬比的刻蝕通孔。
薄膜沉積主要利用等離子體的高活性,從而降低溫度,加快化學反應的速率,避免高溫對晶圓的損傷和副反應的出現(xiàn)。并且還有提升薄膜沉積速率,實現(xiàn)良好的附著性、超薄均勻鍍膜、高臺階覆蓋率的工藝效果。
當然,等離子體工藝設備的應用領域并不止刻蝕和薄膜沉積兩個環(huán)節(jié),還包括離子注入、清洗去膠、鍵合等環(huán)節(jié)以及光伏電池片的薄膜沉積、顯示面板鍍膜、精密光學鍍膜、常壓等離子體清洗等工業(yè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
成功替代海外設備 為晶圓廠的可持續(xù)性生產(chǎn)提供保障
恒運昌招股書顯示,等離子體射頻電源系統(tǒng)在晶圓廠使用過程中會出現(xiàn)老化、故障等問題,需要及時進行維修、更換。但由于一些眾所周知的原因,國內主要晶圓廠被列入實體清單,無法向原海外設備供應商申請采購備件或維修服務,導致生產(chǎn)可持續(xù)性出現(xiàn)較大風險。
恒運昌強調,針對國內晶圓廠已斷供或難以維修的等離子體射頻電源系統(tǒng)產(chǎn)品,公司承接了中芯國際、長江存儲等晶圓廠的進口等離子體射頻電源系統(tǒng)的原位替換或維修任務,為國內晶圓廠的穩(wěn)定運轉和生產(chǎn)可持續(xù)性提供了堅實的保障。
具體來說,2021年,恒運昌向中芯國際交付Bestda等離子體射頻電源,實現(xiàn)了國內首顆刻蝕設備用射頻電源的原位替換。2022年,恒運昌Aspen系列等離子體射頻電源和Basalt系列匹配器在中芯國際晶圓產(chǎn)線上替代了CVD(化學氣相沉積)工藝設備中的海外等離子體射頻電源及匹配器產(chǎn)品。
除了為晶圓廠提供替換服務,恒運昌的等離子體工藝設備還被廣泛用于中微公司、拓荊科技的新一代薄膜設備、刻蝕機中。
近年來,恒運昌在等離子體工藝設備方面取得了巨大的進步,公司Bestda系列和最新一代產(chǎn)品Aspen系列均已通過驗證并量產(chǎn),其中Bestda系列可支撐28納米制程,最新一代產(chǎn)品Aspen系列可支撐14納米先進制程,并已達到與MKS、AE次新一代產(chǎn)品同等的性能指標。
恒運昌強調,2023年,公司最新一代的Aspen系列等離子體射頻電源和Basalt系列匹配器已經(jīng)隨拓荊科技新一代P系列薄膜沉積設備、中微公司新一代N系列刻蝕設備交付國內頭部晶圓廠,目前已經(jīng)進入晶圓生產(chǎn)的正式驗證。
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